2月24日，韓國(guó)媒體透露，韓國(guó)曾在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，但如今正面臨中國(guó)的全面挑戰(zhàn)。

　　據(jù)BK報(bào)道，中國(guó)在短短兩年內(nèi)，在大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)超越了韓國(guó)。專家們強(qiáng)調(diào)，迫切需要制定全面的戰(zhàn)略，以保持存儲(chǔ)器市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力并加強(qiáng)系統(tǒng)半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)。

　　韓國(guó)科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院(KISTEP)于2月23日發(fā)布的“三個(gè)改變游戲規(guī)則領(lǐng)域的技術(shù)水平深度分析”簡(jiǎn)報(bào)顯示，39名國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體專家的調(diào)查結(jié)果顯示，中國(guó)在除先進(jìn)封裝以外的所有半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的基本能力都超過(guò)了韓國(guó)。

　　目前，中國(guó)在多個(gè)領(lǐng)域的基本能力方面均優(yōu)于韓國(guó)，例如，在高性能和低功耗AI半導(dǎo)體領(lǐng)域，韓國(guó)得分為84.1%，而中國(guó)為88.3%;在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，韓國(guó)為67.5%，中國(guó)為79.8%;在下一代高性能傳感技術(shù)領(lǐng)域，韓國(guó)為81.3%，中國(guó)為83.9%。

　　僅在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)方面，韓國(guó)和中國(guó)并列，均為74.2%。

　　一項(xiàng)關(guān)于半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)生命周期的綜合調(diào)查還發(fā)現(xiàn)，韓國(guó)僅在加工和大規(guī)模生產(chǎn)方面處于領(lǐng)先地位，而中國(guó)在基礎(chǔ)和核心技術(shù)以及設(shè)計(jì)方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

　　KISTEP研究員Jeong Eui-jin表示，自2014年以來(lái)，中國(guó)將半導(dǎo)體指定為國(guó)家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，并采取積極的政策和大規(guī)模投資以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體自給自足。

　　特別是，中國(guó)半導(dǎo)體公司正在利用與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)差距很小的傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)，通過(guò)基于數(shù)量的戰(zhàn)略積極擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

　　相比之下，韓國(guó)不僅政府研發(fā)投資滯后，而且私營(yíng)部門(mén)的研發(fā)支出占銷(xiāo)售額的百分比相對(duì)較低，這使得向系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的過(guò)渡變得緩慢。

　　鑒于特朗普第二屆政府、日本和中國(guó)的崛起以及韓國(guó)國(guó)內(nèi)研發(fā)投資不足，韓國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景并不樂(lè)觀。